Jakarta | Samsung Electronics dikabarkan menyetujui permintaan Nvidia agar komponen dasar chip memori HBM generasi terbaru diproduksi dengan proses 3 nanometer milik TSMC. Kabar ini menempatkan proses manufaktur TSMC sebagai pilihan untuk membuat komponen dasar tersebut, sementara Samsung menyetujui permintaan yang diajukan Nvidia. Informasi mengenai keputusan itu dilaporkan Seoul Economic Daily dan dikutip Reuters.
Persetujuan tersebut menjadi hal penting dalam hubungan kedua perusahaan karena menandai kerja sama pertama Samsung dan TSMC pada tahap produksi memori. Sebelumnya, keduanya belum bekerja sama dalam tahap produksi memori seperti yang disebut dalam laporan ini. Dengan keputusan yang dikabarkan itu, Samsung dan TSMC akan terlibat pada satu tahap produksi komponen HBM generasi terbaru yang ditujukan untuk Nvidia.
Inti kabar tersebut adalah penggunaan proses 3 nanometer TSMC untuk pembuatan komponen dasar chip HBM terbaru Nvidia, berdasarkan permintaan Nvidia yang disetujui Samsung Electronics. Pemberitaan ini tidak menyatakan bahwa seluruh chip memori diproduksi oleh TSMC; yang disebut secara khusus adalah komponen dasarnya. Demikian pula, kerja sama yang menjadi yang pertama bagi Samsung dan TSMC merujuk pada tahap produksi memori, bukan pernyataan mengenai bentuk kerja sama lain.
Seoul Economic Daily menjadi sumber laporan tersebut, sedangkan Reuters mengutip pemberitaan itu. Karena informasi yang tersedia hanya memuat kabar persetujuan, proses yang diminta, pihak-pihak terkait, dan sifat kerja sama pada produksi memori, rincian lain tidak dapat dipastikan dari laporan yang disebutkan. Dengan demikian, pokok berita tetap terbatas pada keputusan Samsung untuk menerima permintaan Nvidia mengenai komponen dasar HBM terbaru yang dibuat menggunakan proses 3 nanometer TSMC, serta statusnya sebagai kerja sama produksi memori pertama Samsung dan TSMC.
Nvidia meminta Samsung, SK Hynix, dan Micron Technology mengikuti standar produksi tertentu untuk komponen dasar NVHBM, termasuk memakai proses manufaktur milik TSMC. Persyaratan tersebut juga mencakup penggunaan teknologi DRAM generasi keenam pada bagian inti memori. Dengan pendekatan ini, Nvidia berupaya menyelaraskan desain dan proses pembuatan komponen yang dipasok oleh perusahaan berbeda, sehingga produk akhirnya dapat memenuhi spesifikasi yang sama.
NVHBM diperkenalkan Nvidia pada Agustus sebagai rancangan memori berbandwidth tinggi yang mengintegrasikan pengendali memori buatan Nvidia ke dalam chip dasar. Pengendali yang ditempatkan di bagian dasar itu menjadi unsur penting dalam arsitektur produk. Karena rancangan tersebut menggabungkan komponen Nvidia dengan susunan memori dari pemasok, keseragaman proses dan spesifikasi dapat membantu memastikan penerapan NVHBM berlangsung konsisten, terlepas dari perusahaan yang memproduksi tumpukan memorinya.
Permintaan untuk memakai proses TSMC menandai penyesuaian dari pola produksi yang biasanya memberi pemasok ruang lebih besar untuk menentukan jalur manufaktur masing-masing. Bagi Nvidia, standar bersama dapat memudahkan integrasi NVHBM ke dalam sistem komputasi dan membantu menjaga kompatibilitas antarpasokan. Namun, persyaratan itu tidak berarti seluruh produksi memori Samsung akan beralih ke TSMC. Perusahaan tersebut tetap dapat mempertahankan metode dan kapasitas produksinya untuk lini produk lain.
Samsung telah menerima persyaratan Nvidia setelah melakukan kajian internal. Keputusan itu berlaku untuk komponen dasar NVHBM yang mengikuti rancangan baru, sementara Samsung tetap mempertahankan jalur produksinya sendiri untuk HBM standar. Perusahaan juga akan terus menggunakan kemampuan manufakturnya untuk produk khusus yang dikembangkan bagi pelanggan lain. Dengan demikian, penerimaan terhadap proses TSMC untuk NVHBM tidak menghapus strategi produksi Samsung di segmen memori yang berbeda.
Samsung masih mengkaji kemungkinan memakai pabrik pengecoran chip miliknya untuk membuat chip dasar NVHBM. Opsi itu dapat dipertimbangkan apabila permintaan meningkat hingga melampaui kapasitas yang tersedia di TSMC. Untuk saat ini, penggunaan proses TSMC menjadi bagian dari standar yang diminta Nvidia, sedangkan kemungkinan produksi tambahan di fasilitas Samsung bergantung pada kebutuhan pasar dan kapasitas manufaktur. Pengaturan tersebut memberi para pemasok kerangka bersama, sekaligus menyisakan ruang bagi Samsung untuk menilai bagaimana memenuhi permintaan tanpa mengganggu lini produk lainnya.
High Bandwidth Memory (HBM) adalah jenis memori berkecepatan tinggi yang dirancang untuk mengirimkan data dalam jumlah besar dengan sangat cepat. Dibandingkan memori umum yang digunakan pada ponsel atau komputer, HBM menyediakan jalur transfer data yang lebih lebar dan mampu menangani permintaan berulang dari prosesor. Kemampuan ini penting ketika sebuah sistem harus mengakses banyak informasi dalam waktu singkat, bukan sekadar menyimpan data untuk digunakan kemudian.
Salah satu ciri utama HBM adalah susunan chip memorinya yang ditumpuk secara vertikal. Lapisan-lapisan tersebut dihubungkan melalui koneksi khusus, lalu ditempatkan dekat dengan chip utama, seperti prosesor grafis atau akselerator AI. Karena komponen memori dan pemroses berada berdekatan, data menempuh jarak yang lebih pendek dibandingkan pada rancangan memori konvensional. Jalur yang ringkas membantu meningkatkan kecepatan transfer sekaligus mengurangi energi yang diperlukan untuk memindahkan data.
Keunggulan tersebut menjadikan HBM relevan bagi komputasi kecerdasan buatan. Model AI modern dapat memiliki banyak parameter yang harus dibaca dan diperbarui selama proses pelatihan maupun saat menghasilkan jawaban. Sistem juga perlu mengolah gambar beresolusi tinggi, teks panjang, suara, dan berbagai pola secara bersamaan. Semua tugas itu menciptakan arus data yang besar memori dan chip pemroses. Jika data tidak tersedia cukup cepat, kemampuan komputasi chip berisiko tidak dimanfaatkan sepenuhnya karena harus menunggu pasokan informasi.
Oleh sebab itu, kinerja AI tidak hanya ditentukan oleh seberapa cepat chip melakukan perhitungan. Kapasitas dan bandwidth memori turut menentukan seberapa banyak informasi yang dapat dijangkau prosesor dalam satu waktu. HBM membantu mengurangi hambatan tersebut, terutama pada pusat data yang menjalankan beban kerja AI berskala besar. Namun, teknologi ini tetap harus dipadukan dengan rancangan chip dan sistem pendinginan yang sesuai. Dengan kombinasi tersebut, transfer data yang lebih cepat dan efisien dapat mendukung pemrosesan AI yang semakin kompleks.
Permintaan high-bandwidth memory (HBM) meningkat tajam seiring berkembangnya kecerdasan buatan generatif dan pembangunan pusat data. Prosesor AI membutuhkan HBM untuk menyimpan serta mengirimkan data dalam jumlah besar dengan cepat, sehingga ketersediaannya menjadi faktor penting dalam produksi chip. Saat ini, kebutuhan industri disebut melampaui kapasitas pasokan. Ketimpangan tersebut membuat HBM menjadi komponen yang sangat dicari dan memiliki nilai strategis dalam rantai pasok teknologi.
Kekurangan pasokan tidak hanya berdampak pada produsen memori. Ketersediaan HBM yang terbatas dapat membatasi ekspansi pusat data, karena pengoperasian fasilitas baru bergantung pada tersedianya akselerator AI beserta memori pendukungnya. Perusahaan yang hendak membeli chip AI generasi terbaru juga perlu memastikan pasokan HBM sebelum dapat merencanakan pengadaan dalam skala besar. Dengan demikian, kemampuan memperoleh memori ini ikut menentukan seberapa cepat kapasitas komputasi AI dapat ditambah.
Ketika permintaan tumbuh lebih cepat daripada kapasitas produksi, tekanan harga pun meningkat. HBM dapat mengambil porsi besar dari biaya keseluruhan chip AI, sehingga perubahan harga maupun ketersediaannya berpengaruh terhadap biaya produksi dan strategi pembelian perusahaan. Bagi penyedia chip, jaminan pasokan menjadi penting untuk menjaga jadwal produksi dan memenuhi pesanan pelanggan. Bagi pembeli, persaingan mendapatkan komponen ini dapat menambah ketidakpastian dalam perencanaan investasi pusat data.
Pasar HBM juga memiliki hambatan produksi yang tinggi. Dalam bahan sumber, hanya Samsung, SK Hynix, dan Micron yang disebut mampu memproduksi HBM dalam skala komersial. Prosesnya melibatkan penumpukan beberapa lapisan memori secara presisi, sehingga konsistensi mutu dan hasil produksi menjadi tantangan.
Baca juga: Sinergi Menuju Indonesia Emas 2045: Kodim Bojonegoro Perkuat Karakter Kebangsaan Komponen Masyarakat | FFPM 2026 Konsolidasikan Strategi Penguatan Fasilitas Produksi Migas | Berita Terkini dan Informasi Terbaru Hari Ini
